国家/地区 韩国（117）
IPC部 H（84） C（68） B（57）
G（16） D（4） F（2）
IPC大类 H01（78） C01（52） B32（34）
B82（30） B01（19） B05（16）
H05（14） C23（13） C08（10）
G01（7） B44（6） G02（4）
B41（3） C07（3） C09（3）
IPC小类 C01B（52） H01L（42） B32B（34）
B82Y（27） H01M（24） H01B（18）
B05D（16） B01J（15） C23C（11）
H05K（11） B44C（6） B82B（6）
C08K（6） C08L（6） H01G（6）
IPC C01B031/02（27） C01B031/04（26） B82Y030/00（23）
B82Y040/00（18） B32B009/00（16） H01B001/04（14）
H01M010/052（14） H01M004/62（13） H01L029/16（12）
H01M004/36（12） H01M004/587（12） H01M004/38（10）
B32B009/04（8） C01B032/194（7） C23C016/26（7）
发明人 CHOI J（117）
公开年 2022（17） 2011（14） 2014（12） 2017（10） 2021（10） 2009（9） 2012（9） 2013（9） 2010（5） 2020（5） 2023（5） 2019（4） 2015（3） 2016（3） 2018（2）
申请年 2021（16）  2010（11）  2012（11）  2011（10）  2016（10）  2008（9）  2014（8）  2020（8）  2013（7）  2019（7）  2018（5）  2022（5）  2009（4）  2017（4）  2015（2） 
专利权人 SAMSUNG ELEC.（51） UNIV SUNGKYU.（22） UNIV SUNGKYU.（15） CHOI J（12）
KIGAM KOREA .（6） UNIV SUNGKYU.（6） GRAPHENE SQU.（5） KOREA INST S.（5）
UNIV KEIMYUN.（5） SHIN H（4） HONG B H（3） KANG J（3）
KOREA ELECTR.（3） KOREA INST M.（3） SANGBO CORP（3） UNIV FOUND S.（3）
UNIV HANYANG.（3） UNIV HANYANG.（3） UNIV KOREA R.（3） UNIV KYUNGHE.（3）

Through-hole epitaxy method for manufacturing light emitting device, involves forming amorphous insulating layer with nano-sized first through hole on growth substrate, where semiconductor layer is transferred to target substrate using support.

KIM J G, CHOI J, KWON Y G, JANG D, LEE Y, AHN C, LEE S J, LEE H, KIM D

Epitaxy structure comprises substrate having upper surface, upper surface having single crystal structure, two-dimensional material layer provided on upper surface of substrate, and multiple of nanorod light emitting devices provided on upper surface of two-dimensional material layer.

HAN J, LEE E, SHIN D, PARK J, PARK Y, KIM J, KIM N, KONG K, CHOI J, CHOI J H, HO K, KIM N H, KIM J S, PARK Y W, PARKJUNGHOON, HAN J H

Heat dissipation type printed circuit board comprises substrate body having insulating layer made of prepreg laminated on upper surface, electrically conductive layer printed on top of insulating layers and forming circuit connecting electrical and electronic components.

JIN K K, CHOI J, KIM H S

Preparing graphene useful in transistor, comprises supplying substituted alkyne based precursor to chamber including first zone and second zone, vaporizing or sublimating precursor in first zone, and depositing sublimed precursor.

LEE H Y, SEO S, CHOI J, LEE H

Optical device structure comprises optical fiber including core unit, clad unit, and three-dimensional micro hole structure in the clad unit, where surface of three-dimensional micro hole structure is provided with conformal graphene layer formed through nucleation and growth of carbon atoms.

KIM D, KIM S, CHOI J, UDDIN M S, SONG Y W, SONG Y, YOUN C J, KIM S I

Manufacture of material used for forming fabric-structured strain sensor, involves immersing stretchable material in swelling solvent to expand pores of material, immersing in dispersion of conductive material and dispersion solvent comprising dimethylformamide and deionized water, and drying.

CHOI J, LEE G Y

Method for manufacturing an inverse opal structure membrane filter for water purification system, involves preparing a mixed solution by mixing nanoparticle dispersion solution and a sacrificial particle dispersion solution; applying the mixed solution onto a substrate to dry it and heat-treating.

SUH S, CHOI J, KIM J, LEE J, CHOI J H, LEE J M, KIM H J, HAN G S, JUNG H S, JEONG H, HAN G, SANG L J, SHIN L H, SEO S

Dough-type raw material using two-dimensional material used for manufacturing electronic material, comprises raw material (a) comprising graphene oxide and/or ceramic material, and ethanol.

CHOI J, KIM B S, PARK S Y

Producing platinum alloy catalyst useful in electrode for fuel cell, comprises e.g. preparing dispersion by adding platinum precursor, transition metal precursor and carbon-based support into solvent, and preparing platinum alloy catalyst.

PARK K W, LEE S, DEOKHYE P, WOOJUNELEE, CHOI J, SHIN J, KIM J W

Manufacturing graphene quantum dot/silicon/carbon nanomaterial composite useful e.g. for manufacturing secondary battery, comprises e.g. synthesizing graphene quantum dots/silicon nanoparticles/carbon nanofibers or carbon nanotubes complex.

LEECHANGSUP, SERA K, CHOI J